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BIN-DTECEOTR料位計(jì)/射頻導(dǎo)納物位控制器
BIN-DTECEOTR料位計(jì)/射頻導(dǎo)納物位控制器

簡要描述:

BIN-DTECEOTR料位計(jì)/射頻導(dǎo)納物位控制器是利用高頻技術(shù),由電子線路產(chǎn)生一個(gè)小功率射頻信號于探頭上,探頭作為敏感元件,將來自物位介電常數(shù)引起的信號變化反饋給電子線路;由于這些變化包括電容量和電導(dǎo)量的變化,因而電子線路中處理的是電抗(容抗和阻抗的綜合變化的信號)信號;

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BIN-DTECEOTR料位計(jì)/射頻導(dǎo)納物位控制器      概述

BIN-DTECEOTR料位計(jì)/射頻導(dǎo)納物位控制器是利用高頻技術(shù),由電子線路產(chǎn)生一個(gè)小功率射頻信號于探頭上,探頭作為敏感元件,將來自物位介電常數(shù)引起的信號變化反饋給電子線路;由于這些變化包括電容量和電導(dǎo)量的變化,因而電子線路中處理的是電抗(容抗和阻抗的綜合變化的信號)信號;
電抗的變化又引起了極棒上高頻信號的相位發(fā)生變化。因此極棒上的高頻信號與電子線路中的基準(zhǔn)信號的相位差也隨之發(fā)生變化,該變化經(jīng)處理后,驅(qū)動(dòng)輸出電路發(fā)出報(bào)警信號,從而達(dá)到檢測料倉有無物料.

,采用相位檢測技術(shù)將這種變化檢測出來,進(jìn)行處理后改變繼電器的輸出狀態(tài)。它是在原電容測量的基礎(chǔ)上改進(jìn)為射頻導(dǎo)納測量技術(shù),代表了當(dāng)今物位測量的新水平??捎糜跍y量導(dǎo)電及不導(dǎo)電物體。常用有標(biāo)準(zhǔn)型、重型探頭型、耐高溫用陶瓷探頭型、堵料開關(guān)、堵煤開關(guān)等等。

是一種從電容式物位測量技術(shù)發(fā)展起來的,防掛料、更可靠、更準(zhǔn)確、適用性更廣的物位控制技術(shù),射頻導(dǎo)納中的導(dǎo)納的含義為電學(xué)中阻抗的倒數(shù),它由電阻性成分、電容性成分、電感性成分綜合而成。而射頻即發(fā)射高頻無線電波,所以射頻導(dǎo)納物位控制技術(shù)是通過用高頻無線電波測量被測介質(zhì)導(dǎo)納來實(shí)現(xiàn)物位測量。
射頻導(dǎo)納技術(shù)與電容式技術(shù)zui重要的區(qū)別在于測量量的多樣化和三電極技術(shù)。射頻導(dǎo)納測量量的多樣化在于不止是測電容量,還有電阻和電感量,是測量更加準(zhǔn)確。三電極技術(shù)包括電子單元和傳感器,在測量電極和地極之間加入屏蔽電極,將測量電極保護(hù)起來,不受掛料影響

RF-8800系列(抗粘附)料位計(jì)

 

技術(shù)參數(shù):

電源電壓:

220Vac±15%,50Hz;24Vdc±5%

消耗功率:

3W

繼電器輸出:

雙刀雙擲DP/DT,8 AMPS(阻性),250VAC。

環(huán)境溫度:

-40℃~+80℃。

靈敏度設(shè)置:

0.5~1000 pF(可調(diào))。

響應(yīng)時(shí)間::

0.2秒

延遲時(shí)間:

0~30秒可調(diào)(開或關(guān))。

防護(hù)等級:

IP65符合NEMA1-5—12的防護(hù)標(biāo)準(zhǔn)。

靜電火花防護(hù):

內(nèi)置品。

校準(zhǔn)方法:

低位或高位故障報(bào)警?,F(xiàn)場可調(diào)。

 

特點(diǎn)

   

適用于各種場合,可檢測顆粒、飛灰、導(dǎo)電、非導(dǎo)電液體、粘稠物料、帶靜電介質(zhì)。

 
   

先進(jìn)的抗粘附電路設(shè)計(jì),可以消除物料的粘附而產(chǎn)生虛假錯(cuò)誤信號。

   

低位或高位故障報(bào)警?,F(xiàn)場可調(diào)。

采用抬高型:zui高工作溫度可達(dá)230℃。

采用分離型:對高溫振動(dòng)場合可采用分離型,zui高溫度可達(dá)550℃(陶瓷探頭)。

 

帶溫度補(bǔ)償功能:在-40℃-+80℃環(huán)境溫度變化中儀表無任何靈敏度漂移。

安裝接口:3/4″NPT及1-1/4 ″NPT可選

電氣接口:M20×1.5

 

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