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RF-932G2D射頻導(dǎo)納物位控制器
RF-932G2D射頻導(dǎo)納物位控制器

RF-932G1D射頻導(dǎo)納物位控制器是一種從電容式發(fā)展起來的、防掛料、更可靠、適用性更廣的新型物位控制技術(shù),是電容式物位技術(shù)的升級(jí)。所謂射頻導(dǎo)納,導(dǎo)納的含義為電學(xué)中阻抗的倒數(shù),它由電阻性成分、電容性成分、感性成分綜合而成,而射頻即高頻無線電波譜,所以射頻導(dǎo)納可以理解為用高頻無線電波測(cè)量導(dǎo)納。儀表工作時(shí),儀表的傳感器與灌壁及被測(cè)介質(zhì)形成導(dǎo)納值,物位變化時(shí),導(dǎo)納值相應(yīng)變化,電路單元將測(cè)量導(dǎo)納值轉(zhuǎn)換成物

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射頻導(dǎo)納料位計(jì)
射頻導(dǎo)納料位計(jì)

產(chǎn)品簡(jiǎn)介 射頻導(dǎo)納料位計(jì)是目前物位控制器跨世紀(jì)的前衛(wèi)替代產(chǎn)品,適用于測(cè)量液體、固體的位置高度,它提供DPDT的接點(diǎn)輸出,并且不受物料附著與探棒的影響。此產(chǎn)品采用適當(dāng)頻率的射頻信號(hào),同時(shí)對(duì)電容、電阻、電感進(jìn)行檢測(cè),消除了采用電容式技術(shù)而無法避免的虛物位等誤差,且有多種不同形式??蛇m用于高溫振動(dòng)、攪拌、或狹小的空間場(chǎng)所的測(cè)量。導(dǎo)納式物位開關(guān)為了克服附著物的影響,特別于主電極與接地電極間多增加

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射頻導(dǎo)納料位計(jì)
射頻導(dǎo)納料位計(jì)

產(chǎn)品簡(jiǎn)介 射頻導(dǎo)納料位計(jì)是目前物位控制器跨世紀(jì)的前衛(wèi)替代產(chǎn)品,適用于測(cè)量液體、固體的位置高度,它提供DPDT的接點(diǎn)輸出,并且不受物料附著與探棒的影響。此產(chǎn)品采用適當(dāng)頻率的射頻信號(hào),同時(shí)對(duì)電容、電阻、電感進(jìn)行檢測(cè),消除了采用電容式技術(shù)而無法避免的虛物位等誤差,且有多種不同形式??蛇m用于高溫振動(dòng)、攪拌、或狹小的空間場(chǎng)所的測(cè)量。導(dǎo)納式物位開關(guān)為了克服附著物的影響,特別于主電極與接地電極間多增加

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射頻導(dǎo)納料位計(jì)
射頻導(dǎo)納料位計(jì)

產(chǎn)品簡(jiǎn)介 射頻導(dǎo)納料位計(jì)是目前物位控制器跨世紀(jì)的前衛(wèi)替代產(chǎn)品,適用于測(cè)量液體、固體的位置高度,它提供DPDT的接點(diǎn)輸出,并且不受物料附著與探棒的影響。此產(chǎn)品采用適當(dāng)頻率的射頻信號(hào),同時(shí)對(duì)電容、電阻、電感進(jìn)行檢測(cè),消除了采用電容式技術(shù)而無法避免的虛物位等誤差,且有多種不同形式。可適用于高溫振動(dòng)、攪拌、或狹小的空間場(chǎng)所的測(cè)量。導(dǎo)納式物位開關(guān)為了克服附著物的影響,特別于主電極與接地電極間多增加

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射頻導(dǎo)納料位計(jì)
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產(chǎn)品簡(jiǎn)介 射頻導(dǎo)納料位計(jì)是目前物位控制器跨世紀(jì)的前衛(wèi)替代產(chǎn)品,適用于測(cè)量液體、固體的位置高度,它提供DPDT的接點(diǎn)輸出,并且不受物料附著與探棒的影響。此產(chǎn)品采用適當(dāng)頻率的射頻信號(hào),同時(shí)對(duì)電容、電阻、電感進(jìn)行檢測(cè),消除了采用電容式技術(shù)而無法避免的虛物位等誤差,且有多種不同形式??蛇m用于高溫振動(dòng)、攪拌、或狹小的空間場(chǎng)所的測(cè)量。導(dǎo)納式物位開關(guān)為了克服附著物的影響,特別于主電極與接地電極間多增加

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射頻導(dǎo)納料位計(jì)
射頻導(dǎo)納料位計(jì)

產(chǎn)品簡(jiǎn)介 射頻導(dǎo)納料位計(jì)是目前物位控制器跨世紀(jì)的前衛(wèi)替代產(chǎn)品,適用于測(cè)量液體、固體的位置高度,它提供DPDT的接點(diǎn)輸出,并且不受物料附著與探棒的影響。此產(chǎn)品采用適當(dāng)頻率的射頻信號(hào),同時(shí)對(duì)電容、電阻、電感進(jìn)行檢測(cè),消除了采用電容式技術(shù)而無法避免的虛物位等誤差,且有多種不同形式??蛇m用于高溫振動(dòng)、攪拌、或狹小的空間場(chǎng)所的測(cè)量。導(dǎo)納式物位開關(guān)為了克服附著物的影響,特別于主電極與接地電極間多增加

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